Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x(AIN)x: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Исмаилова Нупайсат Пахрудиновна

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад97149,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Исмаилова, Н. П.
Опубликовано: Махачкала , 2003
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br505508
005 20070615192221.9
100 # # $a 20030915d2003 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)1-x(AIN)x  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Исмаилова Нупайсат Пахрудиновна  $g Дагест. гос. ун-т 
210 # # $a Махачкала  $d 2003 
215 # # $a 22 с. 
300 # # $a Библиогр.: c. 20-22 (9 назв.). 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.23  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.15  $2 rugasnti 
686 # # $a 53.41.39  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-567271  $a Исмаилова  $b Н. П.  $g Нупайсат Пахрудиновна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20030915  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo