Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений A3B5: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.01 / Фетисова Валентина Михайловна

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад85008,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Фетисова, В. М.
Опубликовано: Владикавказ , 2002
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br461460
005 20070615192035.7
100 # # $a 20030217d2002 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Электрические и фотоэлектрические свойства диодных структур на основе полупроводниковых соединений A3B5  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e 05.27.01  $f Фетисова Валентина Михайловна  $g [Сев.-Кавк. гос. технол. ун-т, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе] 
210 # # $a Владикавказ  $d 2002 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: c. 19-20 (8 назв.). 
686 # # $a 47.33  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.59  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 53.41.37  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-552192  $a Фетисова  $b В. М.  $g Валентина Михайловна 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20030217  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo