|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br434659 |
005 |
20240605121351.0 |
100 |
# |
# |
$a 20021014d2002 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
200 |
1 |
# |
$a Структурные и оптические свойства нанометровых модулированно-легированных гетероструктур с квантовыми точками в системе InAs/GaAs
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Пак Хи Сок
$g [Институт радиотехники и электроники РАН]
|
210 |
# |
# |
$a Фрязино
$d 2002
|
215 |
# |
# |
$a 14 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: c. 14 (7 назв.)
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar87662
$a КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar66274
$a АРСЕНИД ИНДИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685025
$a ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21821
$a ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.07
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
700 |
# |
0 |
$3 BY-SEK-559986
$a Пак Хи Сок
$c кандидат физико-математических наук
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20021014
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|