Электронный эффект в структурах Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Козодаев Дмитрий Александрович

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад75342,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Козодаев, Д. А.
Опубликовано: СПб. , 2002
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br428981
005 20231207115119.0
100 # # $a 20020920d2002 k y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a ru 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Электронный эффект в структурах Si-SiO2 и Si-SiO2-Si3N4  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.07  $f Козодаев Дмитрий Александрович  $g [С.-Петерб. гос. электротехн. ун-т "ЛЭТИ"] 
210 # # $a СПб.  $d 2002 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (11 назв.). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3130678  $a ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15100  $a ДИОКСИД КРЕМНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar20812  $a НИТРИД КРЕМНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2685016  $a КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar58714  $a ЭЛЕКТРЕТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar17342  $a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.03  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.33  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.09.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-531153  $a Козодаев  $b Д. А.  $g Дмитрий Александрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20020920  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo