Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Ханин Юрий Николаевич
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Ханин, Ю. Н. |
| Wydane: | пос. Черноголовка (Моск. обл.) , 2002 |
| Opis fizyczny: |
24 с.
|
| Język: | Русский |
| Hasła przedmiotowe: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||