Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Ханин Юрий Николаевич
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Ханин, Ю. Н. |
| Veröffentlicht: | пос. Черноголовка (Моск. обл.) , 2002 |
| Beschreibung: |
24 с.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||