
Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Ханин Юрий Николаевич
Захавана ў:
Тып дакумента: | |
---|---|
Аўтар: | Ханин, Ю. Н. |
Апублікавана: | пос. Черноголовка (Моск. обл.) , 2002 |
Фізіч. характарыстыкі: |
24 с.
|
Мова: | Руская |
Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|