|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br405964 |
| 005 |
20230330162740.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20020515d2002 k y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a ru
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Резонансно-туннельные явления в однобарьерных GaAs/AlAs/GaAs гетероструктурах
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e 05.27.01
$f Ханин Юрий Николаевич
$g [Ин-т проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a пос. Черноголовка (Моск. обл.)
$d 2002
|
| 215 |
# |
# |
$a 24 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 22-24.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2185937
$a АРСЕНИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar82122
$a ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3169954
$a РЕЗОНАНСНЫЕ ЭФФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13457603
$a БАРЬЕРНЫЕ СЛОИ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.48
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-NLB-ar928803
$a Ханин
$b Ю. Н.
$g Юрий Николаевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20020515
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
