Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук: 02.00.21 / Галицин Юрий Георгиевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад63562,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Галицын, Ю. Г.
Опубликовано: Новосибирск , 2001
Физические характеристики: 39 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br385857
005 20200910084848.0
100 # # $a 20020219d2001 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук  $e 02.00.21  $f Галицин Юрий Георгиевич  $g Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния Рос. акад. наук, Ин-т химии твердого тела и механохимии Сиб. отд-ния Рос. акад. наук 
210 # # $a Новосибирск  $d 2001 
215 # # $a 39 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 34-39 (74 назв.). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13824121  $a ГОМОЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
686 # # $a 31.15.19  $2 rugasnti 
686 # # $a 02.00.21  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-510329  $a Галицын  $b Ю. Г.  $g Юрий Георгиевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20020219  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo