|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
001 |
BY-NLB-br385857 |
005 |
20200910084848.0 |
100 |
# |
# |
$a 20020219d2001 u y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
105 |
# |
# |
$a y m 001yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Кинетика и механизм поверхностных реакций при гомоэпитаксии GaAs и InAs и при фотохимическом и термическом разложении ионных кристаллов
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра хим. наук
$e 02.00.21
$f Галицин Юрий Георгиевич
$g Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния Рос. акад. наук, Ин-т химии твердого тела и механохимии Сиб. отд-ния Рос. акад. наук
|
210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2001
|
215 |
# |
# |
$a 39 с.
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 34-39 (74 назв.).
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13824121
$a ГОМОЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 31.15.19
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 02.00.21
$2 oksvnk
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-510329
$a Галицын
$b Ю. Г.
$g Юрий Георгиевич
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20020219
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|