Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-хGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Никольский Юрий Анатольевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад63067,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Никольский, Ю. А.
Опубликовано: Воронеж , 2001
Физические характеристики: 32 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br384752
005 20210707142807.0
100 # # $a 20020215d2001 k y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Кинетические явления в тонкопленочных структурах n-InSb, In1-хGaxSb, n-InSb-SiO2-p-Si  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $e 01.04.07  $f Никольский Юрий Анатольевич  $g [Кишинев. гос. ун-т, Борисоглеб. гос. пед. ин-т] 
210 # # $a Воронеж  $d 2001 
215 # # $a 32 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 30-32 (26 назв.). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3130678  $a ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1659663  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar34161  $a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar66272  $a АНТИМОНИД ИНДИЯ   $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39284  $a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7358508  $a ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.03  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.31  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.16  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13.11  $v 6  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-510890  $a Никольский  $b Ю. А.  $g Юрий Анатольевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20020215  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo