|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br384711 |
| 005 |
20210706132351.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20020215d2001 k y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Внутризонные переходы неравновесных носителей заряда в GaAs/AlGaAs квантовых ямах
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e 01.04.10
$f Зибик Евгений Анатольевич
$g [С.-Петерб. гос. техн. ун-т]
|
| 210 |
# |
# |
$a СПб.
$d 2001
|
| 215 |
# |
# |
$a 16 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: c. 13-16.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar6882
$a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-SEK-ar4328463
$a АРСЕНИД АЛЮМИНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar71890
$a НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39104
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ ПЕРЕХОДЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-511077
$a Зибик
$b Е. А.
$g Евгений Анатольевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20020215
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
