Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: 01.04.10 / Вилисов Анатолий Александрович

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад57321,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Вилисов, А. А.
Опубликовано: Томск , 2001
Физические характеристики: 37 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br359399
005 20070615191426.2
100 # # $a 20011016d2001 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук  $e 01.04.10  $f Вилисов Анатолий Александрович  $g [Том. гос. ун-т] 
210 # # $a Томск  $d 2001 
215 # # $a 37 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 32-37 (59 назв.). 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-501497  $a Вилисов  $b А. А.  $g Анатолий Александрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20011016  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo