Методика нанооксидирования и травления поверхности n-InGaAs с помощью атомно-силового микроскопа: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.01 / Соколов Дмитрий Васильевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад57237,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Соколов, Д. В.
Опубликовано: СПб. , 2001
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br359201
005 20070615191423.9
100 # # $a 20011016d2001 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Методика нанооксидирования и травления поверхности n-InGaAs с помощью атомно-силового микроскопа  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.01  $f Соколов Дмитрий Васильевич  $g [Ин-т аналит. приборостроения Рос. акад. наук] 
210 # # $a СПб.  $d 2001 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: c. 15-16 (5 назв.). 
686 # # $a 29.19.22  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.03  $2 rugasnti 
686 # # $a 59.03  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.13  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-501157  $a Соколов  $b Д. В.  $g Дмитрий Васильевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20011016  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo