|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br325820 |
005 |
20200910085008.0 |
100 |
# |
# |
$a 20010404d2000 u y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a 001yy
|
109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
200 |
1 |
# |
$a Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности
$e Автореферат дисссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Новиков Павел Леонидович
$g [Сибирское отделение Российской академии наук]
|
210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2000
|
215 |
# |
# |
$a 19 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография.: с. 17-19 (27 назв.).
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2745708
$a ПОРИСТЫЙ КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32364
$a СТРУКТУРООБРАЗОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32374
$a СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35611
$a ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33582
$a ТЕРМОДИНАМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar14264
$a КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1720201
$a ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЕ ТРАВЛЕНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5945312
$a ТРЕХМЕРНЫЕ МОДЕЛИ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar13824121
$a ГОМОЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.15
$v 6
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 29.03.77
$v 6
$2 rugasnti
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-489150
$a Новиков
$b П. Л.
$g Павел Леонидович
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20010404
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|