Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04. / Цаххаев Фалес Магомедович

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад47793,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Цаххаев, Ф. М.
Опубликовано: Рязань , 2000
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br313269
005 20070615191201.4
100 # # $a 20010205d2000 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Механизмы рассеяния электронов в наноструктурах на гетерогранице AlGaAs/GaAs  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.04.  $f Цаххаев Фалес Магомедович  $g [Рязан. гос. пед. ун-т им. С.А.Есенина] 
210 # # $a Рязань  $d 2000 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-17 (16 назв.). 
686 # # $a 29.19.22  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.35.41  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.04  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-483128  $a Цаххаев  $b Ф. М.  $g Фалес Магомедович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20010205  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo