Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: 05.27.01 / Воротилов Константин Анатольевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад46869,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Воротилов, К. А.
Опубликовано: М. , 2000
Физические характеристики: 45 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br310198
005 20070615191222.8
100 # # $a 20010118d2000 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Формирование диэлектрических слоев интегральных схем методами химического осаждения  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук  $e 05.27.01  $f Воротилов Константин Анатольевич  $g Моск. гос. ин-т радиотехники, электроники и автоматики (техн. ун-т) 
210 # # $a М.  $d 2000 
215 # # $a 45 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 39-45 (49 назв.). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11906  $a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18370  $a МИКРОЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar29520  $a СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9580  $a ДЫЭЛЕКТРЫЧНЫЯ МАТЭРЫЯЛЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar11907  $a ІНТЭГРАЛЬНЫЯ СХЕМЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar18371  $a МІКРАЭЛЕКТРОНІКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar29521  $a СЕГНЕТАЭЛЕКТРЫКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9579  $a ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ  $2 DVNLB 
686 # # $a 51.13.21  $2 rugasnti 
686 # # $a 47.33.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.01  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-485846  $a Воротилов  $b К. А.  $g Константин Анатольевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20010118  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo