Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и АlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Преображенский Валерий Владимирович
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Преображенский, В. В. |
| Veröffentlicht: | Новосибирск , 2000 |
| Beschreibung: |
16 с.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||