Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и АlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 / Преображенский Валерий Владимирович

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад44564,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Преображенский, В. В.
Опубликовано: Новосибирск , 2000
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br279715
005 20200910112927.0
100 # # $a 20001115d2000 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Роль структуры поверхности в формировании слоев GaAs и АlGaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.07  $f Преображенский Валерий Владимирович  $g [Ин-т физики полупроводников Сиб. отд-ния Рос. акад. наук] 
210 # # $a Новосибирск  $d 2000 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: c. 15-16 (12 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar52850  $a ГАЛЛИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar19340  $a МЫШЬЯК  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2262  $a АЛЮМИНИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2282245  $a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar23914  $a ПОВЕРХНОСТНЫЙ СЛОЙ  $2 DVNLB 
686 # # $a 27.35.25  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.19  $2 rugasnti 
686 # # $a 31.15.35  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-476653  $a Преображенский  $b В. В.  $g Валерий Владимирович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20001115  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo