|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-br269330 |
| 005 |
20210720143853.0 |
| 010 |
# |
# |
$a 985-6227-92-5
|
| 100 |
# |
# |
$a 20000809d2000 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a BY
|
| 105 |
# |
# |
$a a ||||000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов
$f И. И. Абрамов, Е. Г. Новик
$g Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
|
| 210 |
# |
# |
$a Минск
$c Бестпринт
$d 2000
|
| 215 |
# |
# |
$a 163 с.
$c ил.
$d 20 см
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 152―161 (122 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 300 экз.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar37857
$a ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar45117
$a НАНОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar82122
$a ТУННЕЛЬНЫЙ ЭФФЕКТ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34409
$a ТРАНЗІСТАРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar37858
$a ЛІКАВАЕ МАДЭЛЯВАННЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar45118
$a НАНАЭЛЕКТРОНІКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34408
$a ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar82123
$a ТУНЭЛЬНЫ ЭФЕКТ
$2 DVNLB
|
| 615 |
# |
# |
$a Белорусский национальный документ
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.3.001.57
$v 3
$z rus
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-NLB-ar2447481
$a Абрамов
$b И. И.
$g Игорь Иванович
$c доктор физико-математических наук
$f род. 1954
|
| 701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-373602
$a Новик
$b Е. Г.
$g Елена Геннадьевна
$c электроника
|
| 712 |
0 |
2 |
$3 BY-NLB-ar186905
$a Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
$c Минск
$4 570
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20000809
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060315
$g psbo
|
