Разработка технологии получения и исследование свойств интегральных фотодиодных структур на основе AlxGa1-xP/GaP/GayIn1-yP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Акад. наук Респ. Узбекистан, Науч.-произв. об-ние "Физика-Солнце" им. С.А.Азимова, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ахмедова, Н. А. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1999 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||