|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br246381 |
| 005 |
20200910090502.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20000211d1999 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 001yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка технологии получения и исследование свойств интегральных фотодиодных структур на основе AlxGa1-xP/GaP/GayIn1-yP
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук
$e 01.04.10
$f Акад. наук Респ. Узбекистан, Науч.-произв. об-ние "Физика-Солнце" им. С.А.Азимова, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева
|
| 210 |
# |
# |
$a Ташкент
$d 1999
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 15-16 (14 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9575
$a ДИЭЛЕКТРИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ (физ.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar36384
$a ФОТОДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21875
$a ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11906
$a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24588
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.31.37
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-468139
$a Ахмедова
$b Н. А.
$g Нодира Аминджановна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20000211
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060316
$g psbo
|
