|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
001 |
BY-NLB-br225207 |
005 |
20180316120200.0 |
100 |
# |
# |
$a 19980619d1989 u y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a by
|
105 |
# |
# |
$a y 000yy
|
109 |
# |
# |
$a aa
$a ac
|
200 |
1 |
# |
$a Электрофизические свойства полуизолирующего арсенида галлия и имплантированных слоев на его основе
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
$f Бел. гос. ун-т им. В.И.Ленина
|
210 |
# |
# |
$a Мн.
$d 1989
|
215 |
# |
# |
$a 16 с.
|
300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с.14-16 (16 назв.)
|
300 |
# |
# |
$a Для служ. пользования. Экз. N ...
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24588
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar52850
$a ГАЛЛИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39284
$a ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17343
$a ЭЛЕКТРОННЫЯ МАТЭРЫЯЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar52851
$a ГАЛІЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39285
$a ЭЛЕКТРАФІЗІЧНЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24589
$a ПАЎПРАВАДНІКОВЫЯ МАТЭРЫЯЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12159
$a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ
$2 DVNLB
|
615 |
# |
# |
$a Белорусский национальный документ
|
675 |
# |
# |
$a 621.315.592(043.3)
$v 3
$z rus
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-263393
$a Бумай
$b Ю. А.
$g Юрий Александрович
$c кандидат физико-математических наук
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19980619
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060315
$g psbo
|
856 |
4 |
# |
$u http://content.nlb.by/content/dav/nlb/DDC/AD/ba231548.pdf
|