|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br197719 |
| 005 |
20230426160248.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 19930101d1989 u y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a by
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка режимов ионного легирования и создание технологических процессов изготовления кремниевых структур быстродействующих биполярных транзисторов
$e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. тех. наук:
$e (05.27.01)
$f Е. В. Автюшков
$g АН БССР, Ин-т электроники
|
| 210 |
# |
# |
$a Мн.
$d 1989
|
| 215 |
# |
# |
$a 17 с.
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 16―17 (10 назв.)
|
| 300 |
# |
# |
$a Для служеб. пользования
|
| 345 |
# |
# |
$9 100 экз.
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4167
$a БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15092
$a КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18370
$a МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15093
$a КРЭМНІЕВЫЯ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12159
$a ІОННАЯ ІМПЛАНТАЦЫЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar32977
$a ЦВЕРДАЦЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНІКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18371
$a МІКРАЭЛЕКТРОНІКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4168
$a БІПАЛЯРНЫЯ ТРАНЗІСТАРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4728
$a БЫСТРОДЕЙСТВИЕ
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a Режимы легирования
|
| 610 |
0 |
# |
$a Рэжымы легіравання
|
| 615 |
# |
# |
$a Белорусский национальный документ
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.33.002
$v 3
$z rus
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.11
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-271847
$a Автюшков
$b Е. В.
$g Евгений Викторович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19930101
$g psbo
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060315
$g psbo
|
