Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP:МОС-гибридная эпитаксия. Свойства и применения в оптоэлектронных приборах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им А.Ф.Иоффе, Ин-т передовых технологий компании Самсунг

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад38007,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Лабутин, О. А.
Опубликовано: СПб. , 1999
Физические характеристики: 23 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br177653
005 20200910085859.0
100 # # $a 19991124d1999 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP:МОС-гибридная эпитаксия. Свойства и применения в оптоэлектронных приборах  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Рос. акад. наук, Физ.-техн. ин-т им А.Ф.Иоффе, Ин-т передовых технологий компании Самсунг 
210 # # $a СПб.  $d 1999 
215 # # $a 23 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 23 (6 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar21869  $a ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24598  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39622  $a ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar32278  $a СТРОЕНИЕ ВЕЩЕСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar19578  $a НАПРЯЖЕННОЕ СОСТОЯНИЕ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.35.15  $2 rugasnti 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-464825  $a Лабутин  $b О. А.  $g Олег Анатольевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19991124  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo