Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник-(Ca,Sr,Ba)F2-полупроводник: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук: 01.04.10 / Новосиб. гос. техн. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад37717,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Величко, А. А.
Опубликовано: Новосибирск , 1999
Физические характеристики: 32 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br176846
005 20200910085745.0
100 # # $a 19991028d1999 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Разработка технологии оптоэлектронных ИС на гетероструктурах полупроводник-(Ca,Sr,Ba)F2-полупроводник  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра техн. наук  $e 01.04.10  $f Новосиб. гос. техн. ун-т 
210 # # $a Новосибирск  $d 1999 
215 # # $a 32 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 29-32 (43 назв.) Для служеб. пользования 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7368  $a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar15096  $a КРЕМНИЙ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar21871  $a ОПТОЭЛЕКТРОННАЯ ТЕХНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24113  $a ПОДЛОЖКИ (электроника)  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39622  $a ЭПИТАКСИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar23808  $a ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9575  $a ДИЭЛЕКТРИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-464234  $a Величко  $b А. А.  $g Александр Андреевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19991028  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo