Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Воронеж. гос. технол. акад.

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад32963,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Сумец, М. П.
Опубликовано: Воронеж , 1999
Физические характеристики: 13 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br176283
005 20191024142303.0
100 # # $a 19990329d1999 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Электронные процессы на гетерогранице Ga2Se3-GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Воронеж. гос. технол. акад. 
210 # # $a Воронеж  $d 1999 
215 # # $a 13 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 11-13 (12 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39092  $a ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar6882  $a АРСЕНИД ГАЛЛИЯ   $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar29621  $a СЕЛЕН  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar29620  $a СЕЛЕН  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7368  $a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39093  $a ЭЛЕКТРОННЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar6883  $a АРСЕНІД ГАЛІЮ   $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar7369  $a ГЕТЭРАСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24595  $a ПАЎПРАВАДНІКІ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.23  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-457581  $a Сумец  $b М. П.  $g Максим Петрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19990329  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo