Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле МОП-структур при криогенных температурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. АН, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Вишняков, А. В. |
| Publié: | Новосибирск , 1999 |
| Description matérielle: |
14 с.
|
| Langue: | Русский |
| Sujets: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||