Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs,O): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Ин-т физики полупроводников СО РАН

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад36122,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Терещенко, О. Е.
Опубликовано: Новосибирск , 1999
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br174038
005 20160407140921.0
100 # # $a 19990712d1999 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y km 001yy 
200 1 # $a Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs,O)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Ин-т физики полупроводников СО РАН 
210 # # $a Новосибирск  $d 1999 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-19 (16 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39993  $a ЯДЕРНАЯ ЭНЕРГИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39092  $a ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24594  $a ПОЛУПРОВОДНИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9575  $a ДИЭЛЕКТРИКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13410  $a КИСЛОРОД  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1883  $a АДСОРБЦИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar23904  $a ПОВЕРХНОСТИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39994  $a ЯДЗЕРНАЯ ЭНЕРГІЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39093  $a ЭЛЕКТРОННЫЯ ЎЛАСЦІВАСЦІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24595  $a ПАЎПРАВАДНІКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar9576  $a ДЫЭЛЕКТРЫКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar13411  $a КІСЛАРОД  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1884  $a АДСОРБЦЫЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar23905  $a ПАВЕРХНІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar10468210  $a ЦЕЗИЙ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-460915  $a Терещенко  $b О. Е.  $g Олег Евгеньевич  $c кандидат физико-математических наук 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19990712  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo