Анализ структурных дефектов в выращенном по методу Чохральского GaAs и эпитаксиальных композициях на его основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 Физика твердого тела / Власукова Людмила Александровна
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Власукова, Л. А. (род. 1950) |
| Опубликовано: | Минск , 1995 |
| Физические характеристики: |
15, [2] с., включая обложку : ил., табл.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: | |
| Е-документ: |
E-документ
|
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 2 , доступно: 2 | Доступно Заказать | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
||||||||||||||||