Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3В5: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.27.06 / Новочеркас. гос. техн. ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад25755,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Сысоев, И. А.
Опубликовано: Новочеркасск , 1993
Физические характеристики: 14 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br164535
005 20070615190616.8
100 # # $a 19970606d1993 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе многокомпонентных полупроводниковых соединений А3В5  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e 05.27.06  $f Новочеркас. гос. техн. ун-т 
210 # # $a Новочеркасск  $d 1993 
215 # # $a 14 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 13-14 (13 назв.) 
686 # # $a 47.09.29  $2 rugasnti 
686 # # $a 31.15.17  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-439385  $a Сысоев  $b И. А.  $g Игорь Александрович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19970606  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo