
Получение и свойства омических контактов микронных размеров к полупроводникам А3В5 (GaAs, InP): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 05.27.01 / Рос. АН, Ин-т радиотехники и электроники
Guardado en:
Formato: | |
---|---|
Autor principal: | Лопатин, В. В. |
Publicado: | М. , 1994 |
Descripción Física: |
18 с.
|
Lenguaje: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|