Высокотемпературные взаимодействия оксидных (AL,Ga,Si,Ge) соединений цинка и кадмия, получение глазурей и стеклокристаллических материалов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: 05.17.11 / Ташкент. хим.-технол. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад23989,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Иргашев, Т. И.
Опубликовано: Ташкент , 1994
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br162843
005 20070615190601.7
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Высокотемпературные взаимодействия оксидных (AL,Ga,Si,Ge) соединений цинка и кадмия, получение глазурей и стеклокристаллических материалов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e 05.17.11  $f Ташкент. хим.-технол. ин-т 
210 # # $a Ташкент  $d 1994 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a Библиогр.: 16-18 (15 назв.) 
686 # # $a 61.35.09  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.17.11  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-436987  $a Иргашев  $b Т. И.  $g Тургун Иргашевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo