Исследование электронных процессов в структурах полупроводник-диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика и квазиодномерным электронным каналом: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад17426,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Осипов, В. Ю.
Опубликовано: СПб. , 1994
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br156144
005 20230612160443.0
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Исследование электронных процессов в структурах полупроводник-диэлектрик-полупроводник и металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика и квазиодномерным электронным каналом  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Рос. АН, Физ.-техн. ин-т им. А.Ф.Иоффе 
210 # # $a СПб.  $d 1994 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-18 (15 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar55300  $a МДП-СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
610 0 # $a Полупроводник-диэлектрик 
610 0 # $a Паўправаднік-дыэлектрык 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-427459  $a Осипов  $b В. Ю.  $g Владимир Юрьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo