Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковых структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Моск. гос. ин-т электрон. техники

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад17305,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Кузнецов, М. Г.
Опубликовано: М. , 1994
Физические характеристики: 26 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br156027
005 20230426160305.0
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Аналитическое моделирование физических особенностей полупроводниковых структур при расчете основных характеристик быстродействующих полевых транзисторов  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f Моск. гос. ин-т электрон. техники 
210 # # $a М.  $d 1994 
215 # # $a 26 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 25-26 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24596  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2387  $a АНАЛІТЫЧНЫЯ МАДЭЛІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24597  $a ПАЎПРАВАДНІКОВЫЯ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2386  $a АНАЛИТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar4728  $a БЫСТРОДЕЙСТВИЕ  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-426072  $a Кузнецов  $b М. Г.  $g Михаил Геннадьевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo