Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.09.02 ; 01.04.04 / Ли Цзень Фень

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад170306,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ли, Ц. Ф.
Опубликовано: Томск , 2006
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br1552479
005 20070615185154.0
100 # # $a 20060904d2006 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 001yy 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук  $e 05.09.02 ; 01.04.04  $f Ли Цзень Фень  $g НИИ высоких напряжений 
210 # # $a Томск  $d 2006 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a Библиография: с. 17-18 (9 назв.). 
606 0 # $3 BY-NLB-ar34161  $a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar22114  $a ОСАЖДЕНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12180  $a ИОННЫЕ ПУЧКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24602  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar34162  $a ТОНКІЯ ПЛЁНКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar22115  $a АСАДЖЭННЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar12181  $a ІОННЫЯ ПУЧКІ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar24603  $a ПАЎПРАВАДНІКОВАЯ ЭЛЕКТРОНІКА  $2 DVNLB 
686 # # $a 47.03  $2 rugasnti 
686 # # $a 45.09  $2 rugasnti 
686 # # $a 05.09.02  $2 oksvnk 
686 # # $a 01.04.04  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-699388  $a Ли  $b Ц. Ф.  $g Цзень Фень 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060904  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20061210  $g psbo