Podobne zapisy

• Гетероструктуры с Ge(Si) cамоформирующимися наноостровками и квантовыми точками на Si(001) подложках и релаксированных SiGe/Si(001) буферных слоях: особенности роста и фотолюминесценции: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 05.27.01 / Шалеев Михаил Владимирович. - Нижний Новгород, 2006. - 18 с.
  od: Шалеев, М. В.
  Wydane: (2006)
• Жидкофазная эпитаксия и физико-химические свойства непрерывных твердых растворов Si1-xGex1, Si1-xSnx, (Si2)1-x(GaAs)x1, (Ge2)1-x(GaAs)x1, (Si2)1-x(GaP)x, (Si2)1-x(ZnS)x: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: 01.04.10 / Сапаев Байрамдурды. - Ташкент, 2009. - 39 с.
  od: Сапаев, Б.
  Wydane: (2009)
• Исследование условий роста и свойств эпитаксиальных слоев Si, Si{н.инд.}(1-x)Ge{н.инд.}(x), GaP и GaAs, выращенных на Si из жидкой фазы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. - Ташкент, 1984. - 21 с.
  od: Дадамухамедов, С.
  Wydane: (1984)