Матаматическое моделирование субмикронных биполярных гетероструктурных транзисторов на основе полупроводниковых материалов А3В5: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.04 / Моск. физ.-техн. ин-т РАН
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Карташов, С. Е. |
| Veröffentlicht: | М. , 1994 |
| Beschreibung: |
13 с.
|
| Sprache: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||