Разработка и исследование фотопреобразовательных структур на основе Al GaAs-GaP,GaLnP-GaP: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / АН Респ. Узбекистан, НПО "Физика-Солнце" им. С.А.Азимова, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева
Zapisane w:
| Format: | |
|---|---|
| 1. autor: | Ганиев, А. С. |
| Wydane: | Ташкент , 1994 |
| Opis fizyczny: |
23 с.
|
| Język: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Dostępne Zamów | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||