Исследование свойств двусторонних GaAs-AlGaAs гетероструктур с широкозонным GaP окном, разработка фотоэлектрических преобразователей на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / АН Респ. Узбекистан, Науч.-произв. об-ние "Физика-Солнце" им. С.А.Азимова, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад13600,
格式: Авторефераты диссертаций
主要作者: Акбаров, Н. Ф.
出版: Ташкент , 1994
實物描述: 21 с.
語言: Русский

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 可用  預訂

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2Ад13600 ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:2:74 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал