Исследование свойств двусторонних GaAs-AlGaAs гетероструктур с широкозонным GaP окном, разработка фотоэлектрических преобразователей на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / АН Респ. Узбекистан, Науч.-произв. об-ние "Физика-Солнце" им. С.А.Азимова, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Акбаров, Н. Ф. |
| Publié: | Ташкент , 1994 |
| Description matérielle: |
21 с.
|
| Langue: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||