Исследование свойств двусторонних GaAs-AlGaAs гетероструктур с широкозонным GaP окном, разработка фотоэлектрических преобразователей на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / АН Респ. Узбекистан, Науч.-произв. об-ние "Физика-Солнце" им. С.А.Азимова, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Акбаров, Н. Ф. |
| Апублікавана: | Ташкент , 1994 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
21 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||