Исследование свойств двусторонних GaAs-AlGaAs гетероструктур с широкозонным GaP окном, разработка фотоэлектрических преобразователей на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / АН Респ. Узбекистан, Науч.-произв. об-ние "Физика-Солнце" им. С.А.Азимова, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад13600,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Акбаров, Н. Ф.
Опубликовано: Ташкент , 1994
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br152075
005 20070615190357.1
100 # # $a 19930101d1994 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001 y 
109 # # $a aa  $a ac 
200 1 # $a Исследование свойств двусторонних GaAs-AlGaAs гетероструктур с широкозонным GaP окном, разработка фотоэлектрических преобразователей на их основе  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f АН Респ. Узбекистан, Науч.-произв. об-ние "Физика-Солнце" им. С.А.Азимова, Физ.-техн. ин-т им. С.В.Стародубцева 
210 # # $a Ташкент  $d 1994 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 17-19 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-417169  $a Акбаров  $b Н. Ф.  $g Нурмухамед Фазилович 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo