Особенности переноса заряда в полупроводниках с сильноанизотропной кристаллической структурой TISe и InSe при низких температурах: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / АН Азерб. Респ., Ин-т физики

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад12953,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Сардарлы, А. Д.
Опубликовано: Баку , 1993
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br151284
005 20070615190349.7
100 # # $a 19930101d1993 u y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
105 # # $a y m 001 y 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Особенности переноса заряда в полупроводниках с сильноанизотропной кристаллической структурой TISe и InSe при низких температурах  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e 01.04.10  $f АН Азерб. Респ., Ин-т физики 
210 # # $a Баку  $d 1993 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a Библиогр: с. 16-17 (8 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-415691  $a Сардарлы  $b А. Д.  $g Арзу Джаваншир оглы 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo