Моделирование воздействия внешних электромагнитных полей на элементы наноструктур: Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук:(05.13.16) / Белорус.гос.ун-т

Сохранено в:
Шифр документа: 2Ад1702, 2Ад1953,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Олендский, О. З.
Опубликовано: Мн. , 1993
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
Предмет:
Е-документ: E-документ
00000cam0a22000004ia4500
001 BY-NLB-br141306
005 20230914091455.0
100 # # $a 19930101d1993 u y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a by 
105 # # $a y m 001yy 
109 # # $a ac 
200 1 # $a Моделирование воздействия внешних электромагнитных полей на элементы наноструктур  $e Автореф.дис.на соиск.учен.степ.канд.физ.-мат.наук:(05.13.16)  $f Белорус.гос.ун-т 
210 # # $a Мн.  $d 1993 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с.14-15 (6 назв.) 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658634  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1658714  $a ПАЎПРАВАДНІКОВЫЯ ГЕТЭРАСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar19880  $a ИССЛЕДОВАНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2113377  $a МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2113382  $a МАТЭМАТЫЧНАЕ МАДЭЛЯВАННЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar2665900  $a НАНОСТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3167230  $a РЕЗОНАНСНОЕ ТУННЕЛИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3170564  $a МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar67566  $a НАНОТЕХНОЛОГИИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar67567  $a НАНАТЭХНАЛОГІІ  $2 DVNLB 
610 0 # $a многослойные гетероструктуры 
610 0 # $a многослойные квантоворазмерные структуры 
610 0 # $a шматслаевыя гетэраструктуры 
610 0 # $a шматслаёвыя квантаваразмерныя структуры 
675 # # $a 621.382.049.77:53.072:51(043)  $v 3  $z rus 
686 # # $a 05.13.16  $2 nsnrrb 
686 # # $a 47.03.05  $2 rugasnti 
700 # 1 $3 BY-SEK-389398  $a Олендский  $b О. З.  $g Олег Збигневич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 19930101  $g psbo 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20060316  $g psbo 
856 4 # $u https://elib.nlb.by:8070/viewer?markID=BY-NLB-br141306&fileID=380491