|
|
|
|
|
00000cam0a22000004ib4500 |
001 |
BY-NLB-br111003 |
005 |
20220913104447.0 |
010 |
# |
# |
$d 5000 r.
|
100 |
# |
# |
$a 19971017d1993 u y0rusy50 ||||ca
|
101 |
0 |
# |
$a eng
|
102 |
# |
# |
$a ru
|
105 |
# |
# |
$a y 000yy
|
109 |
# |
# |
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Study of GaAs structure for microstrip detectors
$f [ Auth. ]
$e V. Bolotov, O. Filatov, Yu. Ivanshin a. o.
|
210 |
# |
# |
$a Moscow
$c Inst. for Nuclear Research of the RAS
$d 1993
|
215 |
# |
# |
$a 7 p.
|
225 |
1 |
# |
$a Prepr.
$f Inst. for Nuclear Research of the RAS
$v 829/93 )
|
300 |
# |
# |
$a Ref. : p. 7.-- Загл. ориг. : Изучение арсенид-галиевых структур для микростриповых детекторов
|
345 |
# |
# |
$9 150 экз.
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39985
$a ЯДЕРНАЯ ФИЗИКА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8995
$a ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2185937
$a АРСЕНИДЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar52850
$a ГАЛЛИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24588
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar26875
$a РАДИАЦИОННАЯ СТОЙКОСТЬ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24592
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar40001
$a ЯДЕРНО-ФИЗИЧЕСКИЕ ЭКСПЕРИМЕНТЫ
$2 DVNLB
|
675 |
# |
# |
$a 539.1.074.55:621.315.522
$v 3
$z rus
|
686 |
# |
# |
$a 29.15.39
$2 rugasnti
|
686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
|
701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-202109
$a Болотов
$b В. Н.
$g Владимир Николаевич
$c доктор физико-математических наук
$f род. 1933
|
701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-307732
$a Филатов
$b О.
|
701 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-307734
$a Иваньшин
$b Ю.
|
711 |
0 |
2 |
$3 BY-CNB-a593215
$a Институт ядерных исследований
$c Москва
|
711 |
0 |
2 |
$3 BY-NLB-ar10408630
$a Российская академия наук
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 19971017
$g psbo
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20060315
$g psbo
|