ц-SR study of behaviour of impurity atoms in silicon / V.N.Gorelkin, V.G.Grebinnik, K.J.Gritsaj a.o.
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Опубликовано: | Dubna , 1993 |
Физические характеристики: |
8 p.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Prepr.
E14-93-52) |
00000cam0a22000004ib4500 | |||
001 | BY-NLB-br10748 | ||
005 | 20070615153646.7 | ||
010 | # | # | $d 11 r. |
100 | # | # | $a 19930724d1993 u y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
105 | # | # | $a y z 000 y |
200 | 1 | # | $a ц-SR study of behaviour of impurity atoms in silicon $f V.N.Gorelkin, V.G.Grebinnik, K.J.Gritsaj a.o. |
210 | # | # | $a Dubna $d 1993 |
215 | # | # | $a 8 p. |
225 | 1 | # | $a Prepr. $f The Joint Inst. for Nuclear Research $v E14-93-52) |
300 | # | # | $a - Ref.: p.8 |
675 | # | # | $a 539.219.1 : 546.28 $v 3 $z rus |
675 | # | # | $a 539.126.333.185. $v 3 $z rus |
801 | # | 0 | $a BY $b BY-HM0000 $c 19930724 $g psbo |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20060314 $g psbo |