Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Чуканова, О. Б. |
| Publicado: | Москва , 2024 |
| Descripción Física: |
22 с.
|
| Lenguaje: | Русский |