Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Чуканова, О. Б. |
| Published: | Москва , 2024 |
| Physical Description: |
22 с.
|
| Language: | Russian |