Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Чуканова, О. Б. |
| Апублікавана: | Москва , 2024 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
22 с.
|
| Мова: | Руская |