Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2
Saved in:
| Format: | |
|---|---|
| Main Author: | Чуканова, О. Б. |
| Published: | Москва , 2024 |
| Physical Description: |
22 с.
|
| Language: | Russian |
| 00000nam0a22000003ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-br0001973611 | ||
| 005 | 20250303094015.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20250303d2024 |||||rus|50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук $e специальность 2.2.2 |
| 210 | # | # | $a Москва $d 2024 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 320 | # | # | $a Библиография: с. 20―22 (22 назв.) |
| 675 | # | # | $a 6 $v 4 |
| 700 | # | 1 | $a Чуканова $b О. Б. $g Ольга Борисовна |
| 801 | # | 0 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20250303 $g RCR |